CN120127006A 优化sgt结构上多晶硅残留的方法 (华虹半导体制造(无锡)有限公司).pdfVIP

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  • 2026-04-12 发布于重庆
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CN120127006A 优化sgt结构上多晶硅残留的方法 (华虹半导体制造(无锡)有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120127006A

(43)申请公布日2025.06.10

(21)申请号202510169534.5H01L21/311(2006.01)

H01L21/3213(2006.01)

(22)申请日2025.02.17

(71)申请人华虹半导体制造(无锡)有限公司

地址214112江苏省无锡市新吴区新洲路

30-1号

申请人华虹半导体(无锡)有限公司

上海华虹宏力半导体制造有限公司

(72)发明人邱儒猛张蕾黄浩赵鑫栋

王文强潘嘉杨继业

(74)专利代理机构上海浦一知识产

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