CN119612522A 半导体器件的制造方法、硅溶胶及其制备方法和研磨用组合物 (武汉鼎泽新材料技术有限公司).pdfVIP

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  • 2026-04-13 发布于重庆
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CN119612522A 半导体器件的制造方法、硅溶胶及其制备方法和研磨用组合物 (武汉鼎泽新材料技术有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119612522A

(43)申请公布日2025.03.14

(21)申请号202510163022.8

(22)申请日2025.02.14

(71)申请人武汉鼎泽新材料技术有限公司

地址430057湖北省武汉市武汉经济技术

开发区东荆河路1号办公楼6楼608室

申请人鼎龙(仙桃)新材料有限公司

湖北鼎龙控股股份有限公司

(72)发明人周航欧阳广成李小龙肖桂林

高念

(51)Int.Cl.

C01B33/141(2006.01)

B82Y40/00(2011.01)

C09G1/02(2006.01)

H01L21/304(2006.0

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