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碳化硅衬底项目可行性研究报告

北京华晶微电科技有限公司

第一章项目总论

项目名称及建设性质

项目名称

碳化硅衬底项目

项目建设性质

本项目属于新建高新技术产业项目，专注于碳化硅衬底的研发、生产与销售，旨在填补国内高端碳化硅衬底产能缺口，推动我国第三代半导体材料产业国产化进程。

项目占地及用地指标

本项目规划总用地面积52000.36平方米（折合约78.00亩），建筑物基底占地面积37440.26平方米；规划总建筑面积61209.88平方米，其中绿化面积3380.02平方米，场区停车场和道路及场地硬化占地面积10850.08平方米；土地综合利用面积51670.36平方米，土地综合利用率1