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纳米尺度相变存储器关键工艺的前沿探索与突破

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，数据呈爆炸式增长态势。据国际数据公司（IDC）预测，全球数据总量将从2018年的33ZB增长到2025年的175ZB，年复合增长率高达26%。数据存储作为信息技术的核心支撑，其重要性不言而喻。传统的存储技术，如基于电子存储器的闪存（FlashMemory）和动态随机存取存储器（DRAM），虽已成为主流，但随着设计尺寸的不断缩小和能耗的持续上升，正逐渐难以满足大规模数据存储和处理的严苛需求。

闪存尽管具备高存储密度和较快的读写速度，但耐久性有限，反复擦写会导致性能下降，在面对频繁读