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CN119395498A 一种基于关断振荡的SiC MOSFET栅氧层退化监测方法 （重庆大学）.docxVIP

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  • 2026-04-14 发布于山西
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CN119395498A 一种基于关断振荡的SiC MOSFET栅氧层退化监测方法 （重庆大学）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119395498A

    (43)申请公布日2025.02.07

    (21)申请号202411683935.4

    (22)申请日2024.11.22

    (71)申请人重庆大学

    地址400044重庆市沙坪坝区沙正街174号

    (72)发明人孙鹏菊周兴豪刘青松李凯伟欧阳铭熙唐晨皓

    (74)专利代理机构重庆博凯知识产权代理有限

    公司50212

    专利代理师张先芸

    (51)Int.Cl.

    G01R31/26(2020.01)

    权利要求书1页说明书7页附图3页

    (54)发明名称

    一种基于

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