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探索稀磁半导体GaMnAs：制备工艺、物理性质与应用展望

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体物理与磁学的交叉领域中，稀磁半导体（DilutedMagneticSemiconductors，DMS）作为一类新型材料，正逐渐崭露头角，成为研究的焦点。稀磁半导体是指在非磁性半导体的晶格结构中，通过特定的掺杂工艺，将少量过渡金属元素（如Mn、Fe、Co等）或稀土金属元素引入其中，从而使原本不具有磁性的半导体材料获得了磁性，实现了半导体特性与磁性的有机融合。这种独特的材料体系打破了传统半导体与磁性材料的界限，为探索新的物理现象和开发高性能电子器件开辟了新的道路。

GaMnAs作为稀磁