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SiC晶片加工技术现状与趋势

SiC单晶材料作为第三代半导体衬底材料,在制作高频、大功率

电子器件等领域有看厂泛的应用前景,而SiC加工技术对制作衬底材

料起到决定作用。介绍了SiC国内外加工技术的研究现状,分析和对

比了切割、研磨、抛光加工工艺的机理及晶片平整度、粗糙度的变化

趋势,并指出SiC单晶片加工过程中存在的问题和未来的发展趋势,

碳化硅(SiC)晶片是第三代半导体器件的关键基础材料,在微电子、

电力电子和半导体照明器件等领域有着重要的应用和广阔的市场前

景。

SiC单晶的硬度极高,化学稳定性高,传统加工半导体材

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