合规红线与避坑实操手册(2026)《GBT 42969-2023元器件位移损伤试验方法》.pptxVIP

;目录;;位移损伤效应本质揭秘：为何传统电参数测试发现时器件已“回天乏术”？;;三大趋势之二：宽禁带半导体（SiC、GaN）位移损伤测试新方法将倒逼标准修订;三大趋势之三：原位实时监测技术取代离线间断测试，重新定义“试验过程”合规边界;;;;指标三：暗电流增量——不是所有暗电流都叫位移损伤，热激发成分如何剥离？;

标准对垂直结构功率器件（如IGBT、MOSFET）规定导通电阻漂移≤15%，对横向结构器件（如LDMOS）允许≤25%。根本原因：垂直结构电流路径贯穿整个外延层，少数缺陷即造成显著影响。测试时需区分“体电阻”与“接触电阻”的贡献。标准强制要求采用开尔文四线法，