微细加工与MEMS技术8光刻胶.pptVIP

第8章光刻胶;;1、灵敏度

灵敏度的定义

单位面积上入射的使光刻胶全部发生反应的最小光能量或最小电荷量（对电子束胶），称为光刻胶的灵敏度，记为S，也就是前面提到过的D100。S越小，则灵敏度越高。;灵敏度曲线（对比度曲线）;2、分辨率;式中，Wmin为最小尺寸，即分辨率。可见，若灵敏度越高（即S越小），则Wmin就越大，分辨率就越差。;3、对比度;灵敏度曲线越陡，D0与D100的间距就越小，则光刻胶的对比度就越大，这样有助于得到清晰的图形轮廓和高的分辨率。一般光刻胶的对比度在0.9~2.0之间。对于亚微米图形，要求对比度大于1。;光进入光刻胶后，其强度按下式衰减;一个与对比度有关的光刻胶性能指标是临界调制传输函数CMTF，它代表在光刻胶上获得能被分辨的图形所必须的最小调制传输函数，其定义为;8.4光刻胶材料;3、负性电子束光刻胶

为含有环氧基、乙烯基或环硫化物的聚合物。最常用的是COP胶，典型特性：灵敏度0.3~0.4?C/cm2（加速电压10KV时）、分辨率1.0?m、对比度0.95。限制分辨率的主