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基于相变存储器的混合主存缓冲区管理：挑战、策略与优化

一、引言

1.1研究背景与意义

在信息技术飞速发展的当下，数据量呈爆炸式增长，计算机系统对存储性能的要求愈发严苛。主存作为计算机存储体系的关键部分，其性能直接左右着整个系统的运行效率。传统的动态随机存取存储器（DRAM）凭借着快速的读写速度，在过去很长一段时间里成为主存的主流选择。然而，随着半导体工艺逐渐逼近物理极限，DRAM面临着诸多难以突破的技术瓶颈。

从功耗角度来看，DRAM需要持续刷新来维持数据存储，这使得其静态功耗不断攀升。据相关研究表明，当半导体工艺达到特定节点时，数据搬运功耗在总功耗中的占比相当可观，这不仅增加了能源成