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碳化硅MOSFET：高温模型构建与关键工艺解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今电力电子技术迅猛发展的时代，对功率器件的性能要求愈发严苛。碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的杰出代表，凭借其宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等一系列优良特性，在高温、高功率、高频率的应用领域中脱颖而出，成为研究与应用的热点。基于碳化硅材料的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），即碳化硅MOSFET，更是以其卓越的性能优势，在众多领域展现出不可或缺的重要性。

在航空航天领域，飞行器发动机周边电子系统、卫星电源系统等均需在高温、强辐射等极端环境下稳定工作。传统硅基功率器