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晶体缺陷

晶体缺陷基础在理想完整晶体中，原子按一定的秩序严格地处在空间有规则的、周期性的格点上。实际上，真实晶体即使冷却到接近绝对零度的温度，它们也很少达到完全有序的状态。实际晶体不论是天然的还是合成的都存在有缺陷。即由于晶体形成条件、原子的热运动及其它条件的影响，在实际晶体中原子的排列往往存在偏离理想晶体结构的区域。

晶体缺陷基础缺陷是材料具有不同性质的最核心的问题，因此，材料制备和使用过程中如何控制缺陷的形成、类型及变化都是极其重要的研究课题。实际晶体中偏离理想完整点阵的部位或结构称为晶体缺陷。晶体缺陷的存在与否、缺陷类型、数量及运动规律，对晶体材料的许多性质会产生巨大的影响。晶体缺陷是研究晶体结构敏感特性的关键问题，也是研究材料质量的核心问题。

晶体缺陷基础晶体缺陷的种类繁多，分类方法不同，主要的有：1.按缺陷成因分：物理缺陷和化学缺陷2.按整比性分：整比缺陷和非整比缺陷：3.按其几何线度分为：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷4.也有的将点缺陷、线缺陷称为结构缺陷而将和面缺陷、体缺陷称为显微缺陷。5.在半导体晶体中还有微缺陷的概念。最常用的是根据缺陷在空间分布几何形状和尺度分类。

点缺陷点缺陷是晶体中尺度很小（原子大小）的缺陷，属于在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构的正常排列的一种缺陷。也可称零维缺陷。点缺陷是最简单的晶体缺陷，它在晶体中可以呈