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2025年传感器研发与制造手册

第1章传感器基础理论与前沿技术

1.1光电器件与光电效应原理

光电效应是光与物质相互作用的基石，当光子能量大于材料禁带宽度时，电子从价带跃迁至导带产生电子-空穴对。在硅基光电二极管中，典型工作波长为850nm和940nm，其响应度（Responsivity）在850nm处约为0.65A/W，在940nm处约为0.48A/W，这意味着每接收1瓦特光功率可产生0.65毫安电流，为后续光通信模块提供基准信号。光伏效应则是光生伏特效应，发生在PN结内部，光生载流子在内建电场作用下分离形成光生电动势。在单晶硅太阳能电池中，开路电压（$V_{oc}$）典型值为0.6V，短路电流（$I_{sc}$）与光照强度呈线性关系，其转换效率（Efficiency）在实验室条件下可达22.5%，商用组件效率约为20.2%，这是光电器件能量转换的核心指标。

光电导效应适用于对光强变化敏感的检测场景，其原理是光照导致半导体电导率增加。在光电流计中，当光照强度增加一倍时，光电流也随之线性增加，其灵敏度（Sensitivity）定义为单位光照强度产生的电流（A/(W/m2)），典型商用光电二极管灵敏度可达1000A/(W/m2)，能够精确捕捉微弱的光信号变化。光敏电阻利用半导体材料的光电导特性，其阻值随光照增强而显著下降。在工