CN120210810A 一种基于气相沉积技术的Ta3N5基光电极及其制备方法 (浙江大学).pdfVIP

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  • 2026-04-17 发布于重庆
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CN120210810A 一种基于气相沉积技术的Ta3N5基光电极及其制备方法 (浙江大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120210810A

(43)申请公布日2025.06.27

(21)申请号202510192560.XC23C14/30(2006.01)

C23C14/58(2006.01)

(22)申请日2025.02.21

C25D9/04(2006.01)

(71)申请人浙江大学

B22F9/24(2006.01)

地址310058浙江省杭州市西湖区余杭塘

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