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高性能MgZnO基薄膜晶体管的制备与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，薄膜晶体管（ThinFilmTransistor，TFT）作为构建各种电子器件的关键元件，在平板显示器、传感器、存储器等领域发挥着举足轻重的作用。TFT通过在基底上沉积半导体、绝缘层和金属电极等薄膜来实现晶体管功能，具有可大面积制备、工艺简单、成本低廉等优点，使其成为推动电子设备轻薄化、高性能化的核心技术之一。在平板显示领域，TFT是液晶显示器（LCD）和有机发光二极管显示器（OLED）的核心驱动元件，其性能直接影响着显示屏幕的分辨率、色彩饱和度、响应速度和功耗等关键指标。例