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CN119403313A 一种led量子阱的外延结构及其生长方法 （南昌大学）.docxVIP

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  • 2026-04-17 发布于山西
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CN119403313A 一种led量子阱的外延结构及其生长方法 （南昌大学）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119403313A

    (43)申请公布日2025.02.07

    (21)申请号202510000250.3

    (22)申请日2025.01.02

    (71)申请人南昌大学

    地址330000江西省南昌市红谷滩新区学

    府大道999号申请人南昌实验室

    南昌硅基半导体科技有限公司

    (72)发明人杨小霞张建立王小兰高江东李丹万思源潘拴

    (74)专利代理机构南昌大牛知识产权代理事务所(普通合伙)36135

    专利代理师何浩云

    (51)Int.Cl.

    H10H20/812(2025.

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