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CN119403174A 半导体装置及其制造方法 （三安日本科技株式会社）.docxVIP

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  • 2026-04-17 发布于山西
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CN119403174A 半导体装置及其制造方法 （三安日本科技株式会社）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119403174A

    (43)申请公布日2025.02.07

    (21)申请号202411003978.3

    (22)申请日2024.07.25

    (30)优先权数据

    2023-1220662023.07.26JP

    (71)申请人三安日本科技株式会社

    地址日本东京都江东区福住2丁目5番4号

    (72)发明人中村浩绫淳

    (74)专利代理机构厦门加减专利代理事务所(普通合伙)35234

    专利代理师包爱萍

    (51)Int.Cl.

    H10D30/60(2025.01)

    H10D30/01(2025.

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