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北工大材料科学基础（I）课件第3章 晶体结构缺陷第6节 位错的增值、塞积与交割.pptxVIP

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  • 2026-04-19 发布于江苏
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北工大材料科学基础（I）课件第3章 晶体结构缺陷第6节 位错的增值、塞积与交割.pptx

    第六节位错的增殖、塞积与交割

    对晶体进行塑性变形，位错数量会增

    加；位错在外力下滑移，遇到障碍时则在障

    碍物前塞积；晶体中位错线的方位各式各

    样，位错在运动中相遇有可能发生交割。

    一.位错的增殖

    晶体的塑性变形以滑移方式进行，滑移量是一

    千个原子间距时才可能形成可见滑移带；单个位错的运动，扫过滑移面时，只形成一个原子间距的相对位移后即消失。晶体的滑移不是固有位错的滑移造成的。

    弗兰克-瑞德(F-R)源增殖机制

    瑞德(Read,W.T.)源增殖机制双交滑移增殖机制

    等

    位错增殖机制

    B

    1.弗兰克-瑞德(F-R)源增殖机制

    弗兰克-瑞德(F-R)源增殖机制

    A

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