CN120054240A 一种SiC纳米线改性多孔碳油水分离膜及制备方法 (武汉科技大学).pdfVIP

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  • 2026-04-18 发布于重庆
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CN120054240A 一种SiC纳米线改性多孔碳油水分离膜及制备方法 (武汉科技大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120054240A

(43)申请公布日2025.05.30

(21)申请号202510194519.6

(22)申请日2025.02.21

(71)申请人武汉科技大学

地址430000湖北省武汉市和平大道947号

(72)发明人朱辉魏瑛陈静雅刘玉婷

胡雪

(74)专利代理机构武汉智汇为专利代理事务所

(普通合伙)42235

专利代理师李恭渝

(51)Int.Cl.

B01D71/02(2006.01)

B01D67/00(2006.01)

B01D17/02(2006.01)

C02F1/40(2023.01)

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