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4H-SiC基缓变基区BJT外延工艺的关键技术与性能优化研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今半导体技术飞速发展的时代，新型半导体材料和器件的研究与开发对于推动电子信息产业的进步具有至关重要的作用。碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的代表，凭借其一系列优异的物理特性，如宽带隙、高临界击穿电场、高热导率以及高电子饱和漂移速度等，在高压、高频、高温以及大功率等应用领域展现出巨大的潜力，被公认为是新一代功率器件的理想材料之一。

4H-SiC作为SiC的一种重要多型体，在众多性能上表现突出。其具有高达3.26eV的禁带宽度，约为硅（Si）材料的3倍，这使得4H-