CN119673770A 一种半导体器件及其刻蚀方法和制备方法 （晶芯成(北京)科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119673770A

(43)申请公布日2025.03.21

(21)申请号202510175060.5H10D84/85(2025.01)

(22)申请日2025.02.18

(71)申请人晶芯成（北京）科技有限公司

地址100176北京市大兴区北京经济技术

开发区科创十三街29号院一区2号楼

13层1302-C54

申请人合肥晶合集成电路股份有限公司

(72)发明人方小婷高志杰姚怡雯孙言明

(74)专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限

公司11505

专利代理师张婷

(51)Int.Cl.

H01L21/32