沈建大材料物理化学课件03晶体结构缺陷.pptVIP

第三章晶体结构缺陷第一节晶体结构缺陷的类型第二节点缺陷的类型第二节点缺陷的类型热缺陷的类型杂质缺陷的类型缺陷表示方法第四节非化学计量缺陷定义:指组成上偏离化学中的定比定律所形成的缺陷。它是由基质晶体与介质中的某些组分发生交换而产生。如Fe1－xO、Zn1+xO等晶体中的缺陷。特点:其化学组成随周围气氛的性质及其分压大小而变化。是一种半导体材料。1、阴离子缺位型TiO2－x

TiO2晶体在缺O2条件下，在晶体中会出现氧空位。缺氧的TiO2可以看作Ti4+和Ti3+氧化物的SS，缺陷反应为：2、阳离子填隙型Zn1+xO

ZnO在Zn蒸汽中加热，颜色加深，缺陷反应为：3、阴离子间隙型只有UO2+x可以看作U3O8（2UO3.UO2)在UO2中的SS。由于结构中有间隙阴离子，为保持电中性，结构中出现电子空穴，反应式为：4、阳离子空位型如Fe1-xO为了保持电中性在正离子空位周围捕获,是P型半导体。缺陷反应为：**一、晶体结构缺陷的类型缺陷的类型点缺陷线缺陷面缺陷其特点是在三维方向上的尺寸都很小，缺陷的尺寸处在一、两个原子大小的级别，又称零维缺陷，例如空位，间隙原子和杂