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- 2026-04-20 发布于湖北
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整流接面二极体(diode)交流电:直流电单晶硅正偏压(forwardbias)逆偏压(reversebias)电子、电洞重合(recombination)与注销(annihilation)崩解(breakdown)V:appliedvoltageI=Is(exp(eV/kT)-1)Jnr(0)+Jng(0)=0Jnr(Vback)=Jnr(0)exp(-e︳V︳/kT)Jng(Vback)=Jng(0)Jnr(Vforward)=Jnr(0)exp(e︳V︳/kT)Jng(Vforward)=Jng(0)
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