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2026年电子科学与技术专业毕业生考试试卷及答案

一、专业基础选择题（每题2分，共30分）

1.关于本征半导体的载流子浓度，下列说法正确的是()

A.仅与温度有关

B.仅与禁带宽度有关

C.与温度和禁带宽度都有关

D.与温度和禁带宽度都无关

答案：C

解析：本征载流子浓度的计算公式为(n_i=NcNvexp$\left$(-Eg2kT$\right$))，其中(E_g)

2.共射极放大电路中，当Q点过高时，容易出现的失真类型是()

A.截止失真

B.饱和失真

C.交越失真

D.线性失真

答案：B

解析：共射极放大电路的Q点过高时，三极管在输入信号正半周的峰值阶段会进入饱和区，集电极电流无法继续增大，导致输出信号的负半周被削顶，这种失真称为饱和失真。截止失真发生在Q点过低的情况，交越失真是推挽放大电路中三极管死区导致的失真。

3.下列逻辑门电路中，输出端可以直接并联实现线与功能的是()

A.TTL与非门

B.TTL或非门

C.OC门

D.CMOS与非门

答案：C

解析：OC门（集电极开路门）的输出级集电极处于开路状态，需要外接上拉电阻才能正常工作，多个OC门的输出端直接并联时，只要有一个门输出低电平，并联后的总输出就是低电平，实现线与功能。其他类型的门电路直接并联会导致输出级电流过大，损坏器件。

4.微电子工艺中，光刻技术的分