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2026年(电子信息工程)模拟电子技术基础试卷及答案

一、单项选择题（每小题2分，共20分）

1.关于硅二极管的导通压降，以下说法正确的是（）

A.约0.1V

B.约0.3V

C.约0.7V

D.约1.2V

答案：C

解析：半导体二极管的导通压降与材料相关，硅材料二极管的正向导通压降约为0.7V，锗材料二极管的正向导通压降约为0.3V，该参数是二极管选型和电路分析的基础参数。

2.三极管工作在放大区的外部条件是（）

A.发射结正偏，集电结正偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏

D.发射结反偏，集电结反偏

答案：B

解析：三极管的放大作用依赖于发射区向基区注入载流子、基区载流子的扩散与复合、集电区收集载流子三个过程。发射结正偏才能保证载流子注入，集电结反偏才能保证集电区有效收集扩散到基区边缘的载流子，此时集电极电流与基极电流满足IC=βIB的线性放大关系。

3.共射极放大电路的输出电压与输入电压的相位关系是（）

A.同相

B.反相

C.相差90度

D.不确定

答案：B

解析：共射极放大电路的电压放大倍数公式为Au=-βRC/rbe，负号表示输出电压与输入电压相位相反，这是共射极放大电路的核心特性之一，也因此该电路常用于需要反相放大的场景。

4.为了稳定放大电路的输出电压，减小输入电阻，应引入以下哪种反馈类型（）

A.电压