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光电子器件设计与制造手册

第1章光电子器件基础理论

1.1半导体物理与能带结构

能带理论是理解半导体光电特性的基石，它描述了价带、导带及禁带之间的能量分布。在绝对零度下，纯半导体（如硅）的价带填满，导带空置，中间存在一个能量间隙，称为禁带宽度（$E_g$），其典型值硅为1.12eV，砷化镓为1.42eV。电子需跨越此禁带才能从价带跃迁至导带，从而产生自由载流子。费米能级（$E_F$）是化学势的体现，在热平衡状态下，费米能级位于禁带中央附近。通过掺杂，我们可以调控费米能级的位置：n型半导体中费米能级进入导带，p型半导体中进入价带，从而改变材料的导电类型和浓度。

空穴被视为价带顶部的等效电子，其有效质量（$m_h^$）与电子不同。在强磁场中，电子和空穴的运动轨迹呈现螺旋形，这种洛伦兹力作用下的非平衡态行为是霍尔效应的基础，也是光电器件中载流子分离的关键机制。本征载流子浓度（$n_i$）随温度呈指数关系变化，遵循公式$n_i=\sqrt{2qN_cN_v}e^{-E_g/2kT}$。例如，在300K时，硅的$n_i$约为$1.5\times10^{10}cm^{-3}$，而锗因$E_g$小，$n_i$高达$2.4\times10^{13}cm^{-3}$，这决定了器件在常温下的暗电流水平。复合机制包括辐射复合（电子-空穴