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光学邻近效应概述

1.1光学邻近效应

光学邻近效应是光刻工艺中一项难以回避的难题。光学邻近效应指的是在光学光刻工艺中，激光透过掩模版时由于光的衍射效应引起的邻近反应，使得光刻出的图案出现偏差，从而带来的光刻硅晶图像失真的情况。如图1.4为一个简单的光刻成像系统。可以看出，蚀刻后的硅晶图像与原掩模版图像之间存在一定差距，这主要是由于光学邻近效应带来的失真现象，在具体工艺实践中极易产生短路、断路等情况，影响芯片制造的成品率。

Frame

Frame

Ta

Mask

Photoresist

Wafer

Diffractionphenomenon

Etching

□Target

■Resistcontour

Wafer

Lithography

图错误!文档中没有指定样式的文字。.1光刻成像系统

光刻过程中，掩模图案并不会完全精确地打印成光刻图案的电路图，而是会受到衍射效应影响，经历一系列傅里叶变换才打印到晶圆上。激光物镜获取衍射图案后，经由一系列特定波长的光对覆盖衬底的硅片光阻上选择性地照射，并投影掩模电路图像。受制于物镜的尺寸，光刻到硅片上形成电路图像时可能会损失衍射级别更高的光刻图案，造成光刻图案失真的现象7。为了能够尽可能地确保掩模上的电路图像精准地刻到晶圆上，物镜应至少考虑到相对额定±1强度的光刻强度。考虑到以上因素，设计间距与光源、物镜