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石墨烯制备与应用技术手册（执行版）

第1章石墨烯制备工艺基础

第一节化学气相沉积法原理与流程

化学气相沉积法（CVD）的核心在于利用高温下碳源气体分解，在基底表面形成石墨烯薄膜，其反应机理遵循气相反应碳原子并迁移到基底的过程。以乙炔气相分解为例，高温下乙炔分子裂解碳原子和氢气，碳原子在基底表面吸附并聚合，形成无序的石墨烯网络结构。

沉积速率受气体流速、基底温度和反应时间严格控制，通常需在1000℃~1200℃的温度区间进行以保证碳原子有足够的迁移能力。基底材质对CVD石墨烯的结晶质量影响显著，铜基底因催化活性高，易于形成高结晶度的石墨烯薄膜，而硅基底则需通过前驱体调控。反应后需进行高温退火处理，以消除碳原子间的缺陷并促进石墨烯晶格的有序排列，退火温度通常高于1000℃以确保结构稳定。

最终产物经剥离、清洗后得到单层石墨烯，其厚度约为0.335nm，且具备优异的导电性和热导率。

第二节液相外延生长技术详解

液相外延生长技术利用有机溶剂或水溶液作为反应介质，通过溶质分子在液相中的扩散与沉积，实现石墨烯在基底上的生长。生长过程涉及前驱体分子在溶剂中的溶解、扩散至基底表面，随后发生聚合反应并沉积成膜，其生长速率受扩散系数影响。

常用的前驱体包括聚苯胺、聚吡咯等聚合物，它们在特定溶剂中可自发形成石墨烯纳米带或石墨烯层状结构。生长环境中的溶剂选择至关重要