2026年高职电子技术基础基础理论阶段测试题及答案.docx

2026年高职(电子技术基础)基础理论阶段测试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.关于PN结的单向导电性，下列说法正确的是()

A.正向偏置时，PN结呈现高阻态，几乎无电流通过

B.反向偏置时，PN结呈现低阻态，有较大电流通过

C.正向偏置时，内电场被削弱，多子扩散运动占主导

D.反向偏置时，内电场被增强，多子漂移运动占主导

答案：C

解析：正向偏置时，外电场与PN结内电场方向相反，内电场被削弱，P区多子（空穴）和N区多子（自由电子）的扩散运动占主导，形成较大正向电流，PN结呈低阻态；反向偏置时，内电场被增强，多子扩散运动被抑制，少子漂移运动占主导，反向电流极小，P