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英飞凌汽车MOSFETAIMCQ120R040M1T用户手册.pdf

英飞凌汽车MOSFETAIMCQ120R040M1T用户手册.pdf

    AIMCQ120R040M1T

    最终数据表

    英飞凌CoolSiC™汽车MOSFET1200V，采用HDSOP-22-3封装

    特性

    •Tvj=-55...175°C时VDSS=1200V

    •TC=25°C时IDDC=61A

    •RDS(on)=40mΩ（VGS=20V、Tvj=25°C时）

    •新的性能优化芯片技术(Gen1p)，改善了RDSon*A

    •业界领先的开关能量特性，可降低开关损耗并减少冷却需求

    •最低的器件电容值

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