2026年电子科学与技术微电子技术与电子科学与技术试卷及答案.docx

2026年电子科学与技术(微电子技术与电子科学与技术)试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.下列半导体材料中，属于宽禁带半导体且已大规模应用于高温、高压功率器件领域的是()

A.硅（Si）

B.锗（Ge）

C.氮化镓（GaN）

D.金刚石（C）

答案：C

解析：宽禁带半导体的禁带宽度通常大于2.0eV，具备耐高温、耐高压、抗辐射的特性。-硅的禁带宽度为1.12eV，属于窄禁带半导体，是通用集成电路的核心材料，但不适用于极端高温高压场景；-锗的禁带宽度仅0.66eV，为窄禁带半导体，多用于早期低频器件；-氮化镓的禁带宽度约3.4eV，工艺成熟度较高，已大