1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内外标准规范

CN119421442A Low-k材料的SGT MOSFET及其制备方法 （龙腾半导体股份有限公司）.docxVIP

  • 2
  • 0
  • 约1.06万字
  • 约 28页
  • 2026-04-22 发布于山西
  • 举报

CN119421442A Low-k材料的SGT MOSFET及其制备方法 （龙腾半导体股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119421442A

    (43)申请公布日2025.02.11

    (21)申请号202510018728.5

    (22)申请日2025.01.07

    (71)申请人龙腾半导体股份有限公司

    地址710018陕西省西安市经济技术开发

    区凤城十二路1号西安关中综合保税区A区龙腾产业园

    (72)发明人王钰杨乐麻泽众冯江旭陈桥梁

    (74)专利代理机构西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230

    专利代理师勾慧敏

    (51)Int.Cl.

    H10D30/01(2025.01)

    H10D30

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >