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2025年激光技术与设备手册.docx

2025年激光技术与设备手册.docx

    2025年激光技术与设备手册

    第1章激光光源与增益介质

    1.1半导体与固体激光器原理

    半导体激光器（LD）利用PN结内的载流子注入复合产生光子的“受激辐射”机制，其核心优势在于体积小、功耗低，现代工业中常用于短距离通信和精密打标。以GaAs为基底的III-V族化合物半导体激光器，其工作温度范围通常在-40℃至+85℃之间，峰值波长可在630nm至1064nm之间灵活选择。

    在典型GaAs结构下，当注入电流达到10mA时，输出光功率可稳定在5mW左右，而电流效率却高达25%以上，远超传统白炽灯光源。该器件的量子效率通常在60%至80%

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