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CN119421418A 半导体结构及其制备方法 （长鑫科技集团股份有限公司）.docxVIP

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  • 2026-04-22 发布于山西
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CN119421418A 半导体结构及其制备方法 （长鑫科技集团股份有限公司）.docx

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN119421418A

    (43)申请公布日2025.02.11

    (21)申请号202310926904.6

    (22)申请日2023.07.26

    (71)申请人长鑫科技集团股份有限公司

    地址230601安徽省合肥市经济技术开发

    区空港工业园兴业大道388号

    (72)发明人萧聪曾凡清

    (51)Int.Cl.

    H10B43/35(2023.01)

    H10B43/50(2023.01)

    H10B43/27(2023.01)

    权利要求书2页说明书12页附图5页

    (54)发明名称

    半导体结构

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