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单晶硅试题及详细答案

一、填空题（每空2分，共20分）

单晶硅是指硅原子按______排列形成的晶体，其晶体结构为______。

工业上制备单晶硅最核心的两种方法是______和______。

单晶硅的熔点约为______℃，密度约为______g/cm3。

单晶硅中常见的施主杂质是______，受主杂质是______，分别对应N型和P型半导体。

单晶硅切片后，需要进行______处理，去除切片过程中产生的表面损伤和杂质。

二、选择题（每题3分，共30分，单选）

下列关于单晶硅与多晶硅的区别，说法错误的是（）

A.单晶硅原子排列有序，多晶硅原子排列无序