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双良拉晶培训考试试题

考试时间：90分钟

总分：100分

一、选择题（每题2分，共30分）

直拉法（CZ法）生长单晶硅的核心设备是（）

A.区熔炉B.单晶炉C.多晶炉D.烧结炉

以下哪种气体通常作为直拉单晶生长过程中的保护气体？（）

A.氧气B.氮气C.氢气D.氩气

单晶硅生长过程中，“引晶”阶段的主要目的是（）

A.去除硅料杂质B.形成稳定的固液界面

C.控制晶体直径D.提高晶体纯度

双良单晶炉的热场系统不包括以下哪个部件？（）

A.坩埚B.加热器C.导流筒D.真空泵

晶体生长过程中，若炉内压力突然升高，可能的原因是（）

A.氩气流量过大B.真空泵故障

C.坩埚转速过快D.温度过高

以下哪项不是影响单晶直径稳定性的因素？（）

A.提拉速度B.坩埚转速C.籽晶取向D.冷却水流速

硅料在装入石英坩埚前需要进行的预处理是（）

A.破碎B.清洗C.掺杂D.以上都是

双良拉晶工艺中，“缩颈”操作的主要作用是（）

A.减少位错B.提高生长速度

C.控制掺杂浓度D.降低能耗

单晶炉内石墨部件的主要作用是（）

A.绝缘B.导热C.支撑D.抗氧化

以下哪种缺陷属于单晶体内的线缺陷？（）

A.空位B.位错C.杂质原子D.晶界

拉晶过程中，若发现晶体