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《三维集成电路第10部分：互连结构电迁移测试方法》标准立项修订与发展报告

GB/T2025007665《三维集成电路第10部分：互连结构电迁移测试方法》标准发展报告

EnglishTitle:DevelopmentReportonGB/T2025007665Threedimensionalintegratedcircuits—Part10:Testingmethodforelectricalmigrationininterconnectionstructures

摘要

随着摩尔定律逼近物理极限，三维集成电路技术通过垂直堆叠和异质集成，成为延续集成电路性能提升、实现更高集成密度与更优系统性能的关键路径。然而，三维集成引入了硅通孔、微凸点、重布线层等全新的互连结构，这些结构在高电流密度、复杂应力及热管理挑战下，面临着严峻的电迁移可靠性问题。电迁移是金属互连线中因电子风力导致金属原子发生定向迁移的物理现象，可能引发空洞、晶须生长，最终导致电路开路或短路失效，严重制约三维集成电路的长期可靠性与使用寿命。为应对这一共性技术挑战，制定统一、科学、可重复的测试方法标准势在必行。

本报告围绕国家标准GB/T2025007665《三维集成电路第10部分：互连结构电迁移测试方法》的制定背景、核心内容、技术要点及其行业价值进行系统阐述。该标准由全国集成电路