2021年长鑫存储在线笔试易错考题及答案解析汇总.docVIP

2021年长鑫存储在线笔试易错考题及答案解析汇总

一、单项选择题（总共10题，每题2分）

1.在半导体存储器中，DRAM和SRAM的主要区别是（）。

A.DRAM需要刷新，SRAM不需要

B.SRAM速度比DRAM快

C.DRAM集成度比SRAM高

D.以上都是

2.以下哪种存储器属于非易失性存储器？（）

A.DRAM

B.SRAM

C.Flash

D.Cache

3.在半导体制造中，光刻工艺的主要作用是（）。

A.形成电路图形

B.沉积金属层

C.刻蚀硅片

D.掺杂杂质

4.以下哪项不是影响芯片良率的主要因素？（）

A.工艺稳定性

B.设备精度

C.芯片尺寸

D.封装材料

5.在半导体工艺中，CMP（化学机械抛光）主要用于（）。

A.平整化晶圆表面

B.刻蚀电路图形

C.沉积薄膜

D.掺杂硅片

6.以下哪种存储器属于易失性存储器？（）

A.NANDFlash

B.NORFlash

C.DRAM

D.ROM

7.在半导体制造中，FinFE