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光芯片金属化层可靠性优化项目可行性研究报告

第一章项目总论

项目名称及建设性质

项目名称：光芯片金属化层可靠性优化项目

项目建设性质：该项目属于新建高新技术产业项目，专注于光芯片金属化层可靠性优化技术的研发、中试及产业化应用。

项目占地及用地指标：项目规划总用地面积36000平方米（折合约54亩），建筑物基底占地面积25920平方米；规划总建筑面积41400平方米，其中绿化面积2376平方米，场区停车场和道路及场地硬化占地面积7776平方米；土地综合利用面积35856平方米，土地综合利用率99.6%。

项目建设地点：项目选址位于江苏省苏州市苏州工业园区。该区域是国内集成电路、半导体产业集聚