原创力文档SiC功率器件边缘终端工艺优化及设备改造项目可行性研究报告
第一章总论
项目概要
本项目名称为SiC功率器件边缘终端工艺优化及设备改造项目，由中科晶能半导体科技有限公司投资建设。项目性质为技术改造及扩建，建设地点选址于江苏无锡江阴高新技术产业开发区半导体产业园。项目总投资估算为38650.50万元，其中一期工程投资23190.30万元，二期工程投资15460.20万元。
建设规模方面，项目全部建成后，将形成年产优化型SiC功率器件（含650V、1200V、1700V系列）360万只的生产能力，其中一期年产210万只，二期年产150万只。项目总占地面积60.00亩，总建筑面积32000平方米
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