原创力文档IMBG120R350M1H
英飞凌IMBG120R350M1H
CoolSiCTM1200VSiC沟槽MOSFET
采用.XT互连技术的CoolSiCTM1200VSiCTrenchMOSFET
特性
•开关损耗非常低
•短路耐受时间3µs
•完全可控的dV/dt
•基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
•具有抗寄生导通能力，可应用0V关断栅极电压
•坚固的体二极管，适用于硬换向
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