原创力文档IMZ120R030M1H
英飞凌CoolSiCTM1200VSiC沟槽MOSFET
英飞凌碳化硅MOSFETIMZ120R030M1H
特性
•开关损耗非常低
•无拐点导通特性
•基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
•0V关断栅极电压，实现简单便捷的栅极驱动
•完全可控的dV/dt
•坚固的体二极管，适用于硬换向
•关断损耗不受温度影响
•用于优化开关性能的检测引脚
优点
•
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