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- 2026-04-23 发布于北京
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HUF75645P3，HUF75645S3S
2001年12月
75A，100V，0.014欧姆，N沟道，
UltraFET®功率MOSFET
封装
JEDECTO‑220ABJEDECTO‑263AB
特性
源极漏极
漏极(法兰)•超低导通电阻‑rDS(ON)=0.014Ω，VGS=10V•仿真
E
模型‑温度补偿PSPICE®和SABERTM电气模型‑Spice
E和Sa
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