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2024长鑫存储社招笔试高频考题+标准答案

一、单项选择题，(总共10题，每题2分)

1.在DRAM存储单元中，用于保持数据的最关键晶体管工作在下列哪种模式

A.截止区B.线性区C.饱和区D.亚阈值区

2.3DNAND中，垂直方向相邻单元耦合电容增大会直接导致

A.读干扰降低B.编程电压降低C.阈值电压分布展宽D.数据保持时间延长

3.长鑫存储1Xnm工艺节点中，用于降低位线-字线漏电流的最常用工艺模块是

A.高κ金属栅B.氮化硅应力层C.深槽隔离+高浓度阱注入D.锗硅源漏

4.在DDR4时序参数中，tFAW限制的是

A.同一BankGroup内连续激活命令B.不同BankGroup间刷新间隔

C.写恢复时间D.读-写切换延迟

5.下列哪一项不是ONFi4.0接口新增特性

A.NV-DDR31600MT/sB.差分数据选通C.总线反转D.EZ-NAND协议

6.存储器BIST中，MarchC-算法无法覆盖的故障模型是

A.状态耦合故障B.地址解码故障C.转换故障D.固定型故障

7.在DRAM刷新过程中，采用“分段刷新+温度补偿”策略的主要目的是

A.降低峰值电流B.提高阵