1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 办公文档
  5. 产品手册

1200V NPT系列沟道IT带反并联超快二极管特性与应用.pdfVIP

  • 3
  • 0
  • 约10.09万字
  • 约 16页
  • 2026-04-24 发布于北京
  • 举报

1200V NPT系列沟道IT带反并联超快二极管特性与应用.pdf

    HGTG11N120CND

    2001年12月

    43A，1200V，NPT系列N沟道IGBT带反并联超快二特性

    极管•43A，1200V，TC=25°C

    HGTG11N120CND是一种非穿通（NPT）IGBT设计。这•1200V开关SOA能力

    是MOS栅控高压开关IGBT的新成员。IGBT结合了

    •典型下降时间.340ns在TJ=150°C

    MOSFET和双极晶体管的最佳特性。该器件具有

    MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。使用•短路耐受能力

    的IGBT开发型号为TA492

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >