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2.5V指定单通道PowerTrench®MOSFET技术规格.pdfVIP

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  • 2026-04-24 发布于北京
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2.5V指定单通道PowerTrench®MOSFET技术规格.pdf

    2006年7月

    FDY302NZ

    单通道2.5V指定PowerTrenchMOSFET

    一般描述特性

    单NFET采用Fairchild的先进=300

    此沟道MOS•600mA，20VRDS(ON)mΩ@VGS=4.

    PowerTrench工艺设计，以优化RDS(ON)@VGS=2.5V。5VRDS(ON)=500mΩ@VGS=2.5V

    应用•ESD保护二极管（注3）

    •锂离子电池组•符合RoHS

    S

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