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电子技术与应用手册（执行版）

第1章电子基础理论与器件特性

1.1半导体物理原理概述

半导体材料（如硅Si）的能带结构决定了其导电性，导带中的电子需跨越禁带能量（$E_g\approx1.12\text{eV}$）才能形成导电，这一特性是理解后续器件工作的基石。热激发是产生载流子的主要机制，在室温下，硅中每个原子平均激发出两个电子，其中约1/3成为自由电子，其余成为空穴，形成本征半导体。

杂质掺杂是调控载流子浓度的核心手段，通过掺入磷（P）或硼（B），可将本征半导体转化为N型或P型半导体，显著改变其电导率。扩散与补偿是掺杂工艺的关键步骤，利用高温扩散将杂质原