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- 2026-04-25 发布于云南
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§4—3电接触4.3.1逸出功和接触电势差认为表面电势近似为突变如图图中：E0：表示真空中静止电子的能级金属n型半导体电介质Ec：导带底Ev：价带顶Ec即是晶体中自由电子所具有的最低能级，它相当于晶体中静止的自由电子的能量.W：真空能级与导带底能级之差，即将晶体中静止电子移至晶体处真空中所需要的能量——电子亲和能逸出功Φ:是将电子从费米能级EF移至真空中所需要的最小能量，若以Ec为参数能级,则EF费米能级是系统的化学势能，即是系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化。接触电势差是逸出功不
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