《硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法》标准立项修订与发展报告.docx

《硅外延层载流子浓度的测试电容-电压法》标准立项修订与发展报告

EnglishTitle

DevelopmentReportontheRevisionofSiliconEpitaxialLayerCarrierConcentrationTestCapacitance-VoltageMethod

摘要

随着电子电力器件的不断升级换代，硅外延片作为基础材料，其品质要求不断提高。载流子浓度及其均匀性是衡量硅外延片品质的重要指标。本文介绍了《硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法》标准的修订背景、目的意义、范围和主要技术内容。原标准发布于2009年，随着半导体产业的