探索4H-SiC本征缺陷奥秘：非故意掺杂与退火特性研究.docx

探索4H-SiC本征缺陷奥秘：非故意掺杂与退火特性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体材料的发展历程中，碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的杰出代表，正引领着功率电子、光电子和核子电子等领域迈向新的发展阶段。相较于传统的硅基半导体材料，SiC展现出诸多卓越的物理、电学和热学性质，为突破现有器件性能瓶颈提供了关键支撑。

4H-SiC作为SiC众多多型体中的一种，具有独特的晶体结构和优异的性能。其宽禁带宽度达到约3.26eV，是硅材料禁带宽度（1.12eV）的近三倍。这一特性使得4H-SiC在高温环境下能够保持良好的电学性能稳定性，有效降低本征载流子浓度的急剧增